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FF900R12IP4D

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数量单价合计
1
¥4,364.8171
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5
¥4,101.7983
20508.9915
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
在25 C的连续集电极电流
900 A
封装 / 箱体
PRIME2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
172 mm
宽度
89 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
3
子类别
IGBTs
零件号别名
FF900R12IP4DBOSA2 SP000614716
单位重量
825 g
商品其它信息
优势价格，FF900R12IP4D的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S4016NTP
Littelfuse
分立半导体
SCR 16A 400V
1:¥15.9104
10:¥12.8368
100:¥10.2943
500:¥8.8366
1,000:¥7.3224
参考库存:45155
VS-8EWF06STRL-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 New Input Diodes - D-PAK-e3
1:¥26.3516
10:¥21.8203
100:¥17.9783
250:¥17.4472
500:¥15.594
参考库存:45160
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch MOS 5.5A 550V 35W 600pF 1.48
1:¥11.6051
10:¥9.2999
100:¥7.1077
500:¥6.2828
参考库存:45165
SD1458
Advanced Semiconductor, Inc.
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥734.8164
10:¥674.271
25:¥605.115
50:¥535.959
参考库存:45170
BUK625R0-40C,118
Nexperia
分立半导体
MOSFET N-CHAN 40V 90A
暂无价格
参考库存:45175

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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