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分立半导体
RGTH00TS65DGC11参考图片

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RGTH00TS65DGC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
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35.1882
10
¥29.9676
299.676
100
¥25.9674
2596.74
250
¥24.6679
6166.975
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65D
单位重量
38 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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250:¥61.8562
500:¥56.4774
1,000:¥47.799
参考库存:49400

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    50万现货SKU

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