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分立半导体
IPD40N03S4L-08参考图片

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IPD40N03S4L-08

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2602
62.602
100
¥4.8138
481.38
500
¥4.2488
2124.4
1,000
¥3.3561
3356.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
8.3 mOhms
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD4N3S4L8XT SP000475916
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD40N03S4L-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SMAJ5936B-TP
Micro Commercial Components (MCC)
分立半导体
稳压二极管 1.5W 30V
1:¥3.5369
10:¥2.3278
100:¥1.5707
500:¥1.2995
7,500:¥0.76049
22,500:查看
参考库存:38272
SZMM3Z9V1T1G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 ZEN REG 0.2W 9.1V
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:79909
IRG7PH35UDPBF
Infineon Technologies
分立半导体
IGBT 晶体管 1200V Trench IGBT Inductn Cooking 50A
1:¥57.9351
10:¥52.3303
25:¥49.8669
100:¥43.3355
参考库存:2731
STTH3012D
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Ultrafast recovery 1200 V diode
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
参考库存:6913
SI4943BDY-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 20V 8.4A 2W
1:¥15.9782
10:¥13.2888
100:¥10.2943
500:¥8.9948
1,000:¥7.4693
2,500:¥7.4693
参考库存:33200

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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