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分立半导体
IPB009N03LGATMA1参考图片

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IPB009N03LGATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥25.5154
25.5154
10
¥21.6734
216.734
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.8314
4457.85
1,000
¥13.447
13447
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
700 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
227 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
180 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
26 ns
零件号别名
G IPB009N03L IPB9N3LGXT SP000394657
商品其它信息
优势价格，IPB009N03LGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDN359BN
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
3,000:¥0.92208
参考库存:19026
PMEG2010AET,215
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHTTKY TAPE-7
1:¥2.8476
10:¥2.147
100:¥1.1639
1,000:¥0.87575
3,000:¥0.75258
参考库存:80413
NSVBAV23CLT1G
ON Semiconductor
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 DUAL CPR CMDTY PBF
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:95500
IPG20N06S2L-65
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS
1:¥7.6049
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.4296
5,000:¥3.0962
10,000:查看
参考库存:52077
BZX84C18-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 18 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:26274

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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