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分立半导体
IRFB7434PBF参考图片

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IRFB7434PBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC
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数量单价合计
1
¥17.1308
17.1308
10
¥14.5205
145.205
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
317 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
324 nC
Pd-功率耗散
294 W
商标名
StrongIRFET
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001575514
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB7434PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 MOD DIODE 55A 120VAC
1:¥658.2928
10:¥626.9353
25:¥612.7199
50:¥598.4254
参考库存:4109
分立半导体
整流器 3.0 Amp 800 Volt
1:¥4.3844
10:¥2.938
100:¥1.9775
500:¥1.5933
1,400:¥1.1978
2,800:¥1.10627
参考库存:28301
分立半导体
MOSFET 600V N-Channel Advance Q-FET
1:¥10.2152
10:¥8.6784
100:¥6.7009
500:¥5.9212
1,000:¥4.6669
参考库存:8573
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Sml-Signal Schottky Barrier Diode
1:¥3.0736
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
3,000:¥0.43053
参考库存:46805
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Bias Resistor Built-in transistor
1:¥2.7685
10:¥1.7854
100:¥0.7458
1,000:¥0.50737
3,000:¥0.3842
参考库存:44092
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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