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分立半导体
STP11NM60ND参考图片

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STP11NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
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数量单价合计
1
¥25.5832
25.5832
10
¥21.7412
217.412
100
¥18.8258
1882.58
250
¥17.8992
4474.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
450 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
FDmesh
封装
Tube
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
STP11NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,STP11NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 25A High Temp Thyristor
1:¥21.7412
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10:¥3.5143
100:¥2.6103
500:¥2.147
3,000:¥1.5142
6,000:查看
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1,000:¥0.89948
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分立半导体
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1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
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分立半导体
分立半导体模块
1:¥764.4789
5:¥750.4217
10:¥716.6912
25:¥692.7917
参考库存:4873
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    50万现货SKU

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