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分立半导体
IRFB42N20DPBF参考图片

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IRFB42N20DPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC
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库存:15,935(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.7523
177.523
100
¥15.368
1536.8
250
¥14.5996
3649.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
91 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Smps MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
32 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
69 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
SP001560222
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IRFB42N20DPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
1:¥18.8258
10:¥15.9782
100:¥12.7577
500:¥11.2209
800:¥9.2999
参考库存:2929
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 10A HiSpd
1:¥13.9103
10:¥11.8311
100:¥9.4468
500:¥8.2942
1,000:¥6.8817
参考库存:6516
分立半导体
MOSFET 350mW, 60V, 340mA
1:¥2.5312
10:¥2.2713
100:¥1.2769
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.4068
参考库存:125193
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 45V
1:¥7.1416
10:¥6.3054
25:¥5.7065
100:¥4.9946
参考库存:11470
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Trench schottky 10amp 45v
1:¥4.9155
10:¥4.3053
25:¥3.8985
100:¥3.4013
1,500:¥1.7741
4,500:查看
参考库存:28067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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