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分立半导体
IRLR3636TRPBF参考图片

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IRLR3636TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
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库存:97,556(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.752
11.752
10
¥9.9892
99.892
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0173
3508.65
1,000
¥5.8082
5808.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
99 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
143 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
31 S
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
216 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
43 ns
典型接通延迟时间
45 ns
零件号别名
SP001574002
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IRLR3636TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 6A 800V
1:¥10.0683
10:¥7.9891
100:¥6.1811
500:¥5.4579
1,000:¥4.3053
2,500:¥4.3053
参考库存:13656
分立半导体
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
1:¥24.0464
10:¥19.8993
100:¥16.4415
250:¥15.9104
1,000:¥15.9104
参考库存:5523
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3.0 Amp 40 Volt 120 Amp IFSM
1:¥3.842
10:¥2.5877
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,400:¥1.05316
参考库存:51065
分立半导体
MOSFET NFET 60V 20A 48MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:11072
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V -100mA HFE/220
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
参考库存:183424
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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