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分立半导体
SIHD6N62E-GE3参考图片

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SIHD6N62E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 620V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
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库存:24,235(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.5995
12.5995
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥6.8817
3440.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SIHD6N62E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 23V 200mW Single
1:¥3.7629
10:¥2.6894
100:¥1.2317
1,000:¥0.99892
8,000:¥0.7684
24,000:查看
参考库存:12666
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 0.5W 5%
1:¥1.5368
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:130858
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥3.6838
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
参考库存:16920
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
3,000:¥0.43844
6,000:查看
参考库存:55097
分立半导体
肖特基二极管与整流器 3A,50V,SM SCHOTTKY RECT
1:¥3.4578
10:¥2.3843
100:¥1.6159
500:¥1.2882
1,800:¥0.89157
3,600:查看
参考库存:29539
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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