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分立半导体
SUP85N15-21-E3参考图片

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SUP85N15-21-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V 85A 300W 21mohm @ 10V
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数量单价合计
1
¥41.7196
41.7196
10
¥34.578
345.78
100
¥28.4308
2843.08
250
¥27.5833
6895.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
85 A
Rds On-漏源导通电阻
17.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Tube
系列
SUP
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
170 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
170 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
22 ns
零件号别名
SUP85N15-21
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，SUP85N15-21-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPB60R125CP
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP
1,000:¥23.5944
2,000:¥22.4418
参考库存:36113
1SMA4753
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 36V
7,500:¥0.7458
15,000:¥0.59212
30,000:¥0.5537
参考库存:36118
NVMFS5C430NAFT3G
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
5,000:¥5.0511
10,000:¥4.859
参考库存:36123
31DF4
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3Amp,400V Ultra Fast Recovery Rect
3,750:¥1.695
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BAV70
Rectron
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 SOT23 215mA 75V Dual Switching CC
9,000:¥0.23052
参考库存:36133

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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