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分立半导体
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IRFB4110PBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 100V 180A 4.5mOhm 150nC Qg
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1
¥25.3572
25.3572
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.6676
1866.76
250
¥17.7523
4438.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
3.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
150 nC
Pd-功率耗散
370 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001570598
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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