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分立半导体
STP7N80K5参考图片

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STP7N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
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数量单价合计
1
¥20.7468
20.7468
10
¥17.6732
176.732
100
¥15.2889
1528.89
250
¥14.5205
3630.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
13.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP7N80K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
20.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.3 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.3 ns
典型接通延迟时间
23.7 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP7N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.22261
24,000:¥0.20792
45,000:¥0.1921
参考库存:43583

  • 海量现货

    50万现货SKU

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