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分立半导体
SIHP21N65EF-GE3参考图片

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SIHP21N65EF-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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库存:36,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.9566
35.9566
10
¥29.8094
298.094
100
¥24.5097
2450.97
250
¥23.7413
5935.325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
21 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
71 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
EF
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
42 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
34 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
68 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHP21N65EF-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 20V 500mW
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:16382
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A 60V FP SCHOTTKY
1:¥7.0738
10:¥6.0907
100:¥4.6782
500:¥4.1358
参考库存:7724
分立半导体
整流器 3A,1000V,Fast Recovery 整流器,DO-201AD Package
1:¥4.3053
10:¥2.8589
100:¥1.9323
500:¥1.5933
1,200:¥1.1978
参考库存:8591
分立半导体
MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
1,500:¥4.4974
参考库存:8488
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 200mW
1:¥2.4634
10:¥1.6611
100:¥0.69156
1,000:¥0.47686
3,000:¥0.36838
参考库存:27065
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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