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分立半导体
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STGD3HF60HDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
2,500
¥4.5991
11497.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
7.5 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGD3HF60HDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
260.400 mg
商品其它信息
优势价格,STGD3HF60HDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
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10:¥1.09836
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1:¥1.6159
10:¥1.3786
100:¥0.58421
500:¥0.48364
3,000:¥0.27685
6,000:查看
参考库存:42561
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MOSFET MOSFT 55V 51A 13.5mOhm 24nC LogLvl
1:¥8.5315
10:¥7.3111
100:¥5.6048
500:¥4.9607
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双极晶体管 - 预偏置 200MW 1K 10K
1:¥1.7628
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR DUAL 45V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:24747
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    50万现货SKU

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