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分立半导体

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STGWA15H120DF2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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数量单价合计
1
¥51.2568
51.2568
10
¥46.33
463.3
25
¥44.183
1104.575
100
¥38.3409
3834.09
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGWA15H120DF2
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
15 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,STGWA15H120DF2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥9.0626
10:¥7.7631
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2,000:¥3.6951
10,000:查看
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:5623
分立半导体
整流器 2.0 Amp 200 Volt 14
1:¥3.7629
10:¥2.9041
100:¥2.1583
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1,000:¥1.3673
1,800:¥1.3673
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分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 NPN/NPN Resistor Equipped Transistor
1:¥2.147
10:¥1.5029
100:¥0.63054
1,000:¥0.43053
10,000:¥0.28476
20,000:查看
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分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:102674
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    50万现货SKU

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