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分立半导体
STD3NK80Z-1参考图片

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STD3NK80Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch, 800V-3.8ohms Zener SuperMESH 2.5A
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数量单价合计
1
¥11.8311
11.8311
10
¥10.0683
100.683
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.0625
3531.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
4.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
6.2 mm
长度
6.6 mm
系列
STD3NK80Z-1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.1 S
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
17 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD3NK80Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥0.20792
30,000:¥0.1921
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:48595
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    50万现货SKU

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