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分立半导体
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CSD19531Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9157
891.57
250
¥8.9157
2228.925
500
¥7.8422
3921.1
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，CSD19531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ES1HL
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 1A 500V
3,600:¥0.71416
9,000:¥0.63054
参考库存:41059
TFZGTR24B
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Diode Zener Single 23.19V 3% 500mW
3,000:¥0.51528
9,000:¥0.46104
24,000:¥0.43053
45,000:¥0.3842
99,000:¥0.36838
参考库存:41064
STF3NK100Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
1:¥23.5153
10:¥19.9784
100:¥17.3681
250:¥16.4415
参考库存:11358
1N4760A
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W 68V 5% ZENER
5,000:¥0.67574
参考库存:41071
LLZ5236B L0G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 7v5
30,000:¥0.20001
50,000:¥0.1695
参考库存:41076

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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