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分立半导体
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CSD19531Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V,5.3mOhm,NexFET Power MOSFET
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库存：37,510(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.221
13.221
10
¥11.2209
112.209
100
¥8.9157
891.57
250
¥8.9157
2228.925
500
¥7.8422
3921.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19531Q5A
晶体管类型
1 N-Channel
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.8 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
18.4 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格，CSD19531Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMBZ4711-E3-08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 27 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:31301
MMSZ5243B-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 13 Volt 0.5W 5% AUTO
1:¥2.3052
10:¥1.5029
100:¥0.73789
500:¥0.63054
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:31306
TLZ3V3A-GS08
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3.3 Volt 0.5 Watt IR = 10uA
1:¥1.8419
10:¥1.5368
100:¥0.65314
500:¥0.54579
2,500:¥0.30736
5,000:查看
参考库存:31311
BZX384C11-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 11 Volt 0.2W 5%
1:¥2.0001
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:31316
BZX84C5V1-HE3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.35W 5% AUTO
1:¥1.921
10:¥1.2769
100:¥0.63054
500:¥0.53788
10,000:¥0.23843
20,000:查看
参考库存:53188

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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