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分立半导体
PD55025S-E参考图片

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PD55025S-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
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数量单价合计
1
¥167.6694
167.6694
10
¥162.9008
1629.008
100
¥149.9962
14999.62
250
¥143.4648
35866.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
14.5 dB
输出功率
25 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55025-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
2.5 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55025S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 150V 120A Reverse
25:¥494.6236
50:¥484.3971
100:¥467.9556
参考库存:51794
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整流器 100Vrrm 70Vrms 1.5A 50A 1.20Vf Recovery
12,000:¥0.53788
24,000:¥0.50737
50,000:¥0.45313
100,000:¥0.43844
参考库存:51799
分立半导体
整流器 10A, 400V, 35NS, DUAL RECTIFIER ISOLATED
2,000:¥2.9267
4,000:¥2.8589
10,000:¥2.6329
24,000:¥2.5199
参考库存:51804
分立半导体
整流器 100V 12A REV Leads Fast Recovery
250:¥66.6926
500:¥62.3986
1,000:¥57.2458
参考库存:51809
分立半导体
整流器 2A, 300V, SUPER FAST SM RECTIFIER
6,000:¥0.89948
9,000:¥0.85315
参考库存:51814
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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