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分立半导体
STF3N80K5参考图片

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STF3N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
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14.2154
10
¥12.0684
120.684
100
¥9.6841
968.41
500
¥8.4524
4226.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
2.8 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
9.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
20 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STF3N80K5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20.5 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF3N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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