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分立半导体
STU9N65M2参考图片

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STU9N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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数量单价合计
1
¥12.2944
12.2944
10
¥10.4525
104.525
100
¥8.3733
837.33
500
¥7.2885
3644.25
1,000
¥6.0342
6034.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU9N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22.5 ns
典型接通延迟时间
7.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STU9N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
R3840
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500:¥90.2079
1,000:¥80.456
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385:¥18.4416
500:¥16.5206
1,000:¥13.9103
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分立半导体
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100:¥458.2715
参考库存:41310

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    50万现货SKU

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