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分立半导体
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MJD122-1

  • STMicroelectronics
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  • 达林顿晶体管 NPN PWR Darlington Int Anti Collector
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10
¥5.7178
57.178
100
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¥2.9493
2949.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
达林顿晶体管
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
5 A
最大集电极截止电流
10 uA
Pd-功率耗散
20 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-252-2
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJD122
封装
Tube
直流电流增益 hFE 最大值
12000
高度
7.2 mm
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
商标
STMicroelectronics
直流集电极/Base Gain hfe Min
100
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
340 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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    50万现货SKU

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