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分立半导体
STP10NM60N参考图片

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STP10NM60N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A
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库存：12,582(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.7523
177.523
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.3735
6186.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
70 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STP10NM60N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP10NM60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥23.8995
10:¥20.2835
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JANS1N7052UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
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50:¥1,175.1096
100:¥1,175.1096
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1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:7280

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    50万现货SKU

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