STS8C5H30L详细参数_参考价格_STS8C5H30L PDF资料_STMicroelectronics

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SO-8
通道数量	2 Channel
晶体管极性	N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Id-连续漏极电流	5.4 A, 8 A
Rds On-漏源导通电阻	22 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	7 nC, 12.5 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	1.6 W, 2 W
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.65 mm
长度	5 mm
系列	STS8C5H30L
晶体管类型	1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET
类型	MOSFET
宽度	4 mm
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	8.5 S, 10 S
下降时间	8 ns, 35 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	14.5 ns, 35 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	23 ns, 125 ns
典型接通延迟时间	12 ns, 25 ns
单位重量	85 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CRZ36(TE85L,Q,M)	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 36V 0.7W S-FLAT	1:¥4.2262 10:¥3.1527 100:¥2.0001 1,000:¥1.5368 3,000:¥1.3108	参考库存:13279
SMMBT5551LT3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 HV XSTR SPCL TR	1:¥3.2996 10:¥2.1357 100:¥0.91417 1,000:¥0.70738 10,000:¥0.47686 20,000:查看	参考库存:49321
1SS397TE85LF	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 0.1A 400V Switching High-Speed Diode	1:¥3.5369 10:¥2.3165 100:¥1.2882 1,000:¥0.94468 3,000:¥0.81473	参考库存:13233
FS450R12OE4	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT Module 450A 1200V	1:¥3,830.7791 5:¥3,599.954	参考库存:1505
DTC123TET1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 NPN DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.3108 10:¥1.12209 100:¥0.40002 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:27987