STB28NM50N详细参数_参考价格_STB28NM50N PDF资料_STMicroelectronics

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	TO-263-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	21 A
Rds On-漏源导通电阻	158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	150 W
配置	Single
商标名	MDmesh
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
系列	STB28NM50N
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
下降时间	52 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	13.6 ns
单位重量	4 g

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
ACGRB207-HF	Comchip Technology	分立半导体	PDF数据手册	整流器 General Purpose Rectifier 1000V 2A	1:¥3.9211 10:¥2.2826 100:¥1.1865 1,000:¥0.82942 3,000:¥0.69156	参考库存:18414
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