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分立半导体
IRFH7921TRPBF参考图片

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IRFH7921TRPBF

  • Infineon / IR
  • 新批次
  • MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.5mOhms 9.3nC
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.3788
53.788
100
¥4.1358
413.58
500
¥3.6612
1830.6
1,000
¥2.8815
2881.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
34 A
Rds On-漏源导通电阻
8.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9.3 nC
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
商标名
StrongIRFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.83 mm
长度
6 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
零件号别名
SP001556502
商品其它信息
优势价格，IRFH7921TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1PS74SB23,125
Nexperia
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DIODE SCHOTTKY
1:¥2.8476
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16643
GL41B-E3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1 Amp 100 Volt 30 Amp IFSM
1:¥3.0736
10:¥2.147
100:¥1.4577
500:¥1.1639
1,500:¥0.79891
4,500:查看
参考库存:11205
IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 3.8mOhms
1:¥6.3054
10:¥5.2884
100:¥3.4126
1,000:¥2.7233
4,000:¥2.7233
参考库存:18977
DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 20V 200mA
1:¥3.3787
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:24039
FDMA8884
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥4.9155
10:¥4.068
100:¥2.6216
1,000:¥2.1018
3,000:¥1.7741
参考库存:24836

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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