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分立半导体
STU7N65M2参考图片

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STU7N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.571
757.1
500
¥6.6896
3344.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
5 A
Rds On-漏源导通电阻
1.15 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
商标名
MDmesh
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU7N65M2
商标
STMicroelectronics
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU7N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 600V 8A Sensing 10-10-10-20mA
1:¥17.1308
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
1,000:¥7.9891
参考库存:4262
分立半导体
SCR模块 Phse Cntrl Thyristrs 940A 1600V
1:¥1,063.3074
5:¥1,042.4137
10:¥993.8463
25:¥972.9526
参考库存:1989
分立半导体
IGBT 模块 IGBT Module
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.751
参考库存:2036
分立半导体
双向可控硅 400V 4A Sensing 5-5-5-5mA
1:¥10.9836
10:¥8.7575
100:¥7.1642
500:¥5.2319
1,000:¥4.7234
参考库存:3618
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D-PAK-e3
1:¥7.5258
10:¥6.1924
100:¥4.746
500:¥4.0906
参考库存:6590
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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