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分立半导体
APT75GP120B2G参考图片

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APT75GP120B2G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
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数量单价合计
1
¥196.6313
196.6313
5
¥187.7947
938.9735
10
¥181.9526
1819.526
25
¥167.2061
4180.1525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
T-Max-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
3.3 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
1.042 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
16.26 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商标名
POWER MOS 7 IGBT
商品其它信息
优势价格，APT75GP120B2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX956STZ
Diodes Incorporated
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
2,000:¥4.0906
参考库存:11053
IRFU9120PBF
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET P-Chan 100V 5.6 Amp
1:¥13.673
10:¥11.3678
100:¥8.7575
500:¥7.6727
1,000:¥6.3506
参考库存:10290
IPA50R140CPXK
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
参考库存:4382
1SMB5948BT3G
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 91V 3W
1:¥3.7629
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
2,500:¥0.78422
参考库存:13234
D3041N65T
Infineon Technologies
分立半导体
整流器 6.5KV 4.1KA
1:¥9,079.4935
参考库存:2801

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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