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分立半导体
NTF2955T1G参考图片

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NTF2955T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET -60V 2.6A P-Channel
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库存：82,507(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.5314
6.5314
10
¥5.3901
53.901
100
¥3.4691
346.91
1,000
¥2.7798
2779.8
2,000
¥2.3504
4700.8
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
185 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
14.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.57 mm
长度
6.5 mm
系列
NTF2955
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
3.5 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
1.77 S
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
250 mg
商品其它信息
优势价格，NTF2955T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP66524D0
Infineon / IR
分立半导体
IGBT 晶体管 600V COOLiRIGBT
1:¥58.2402
10:¥52.6354
25:¥50.172
100:¥43.5728
参考库存:6385
STF12N120K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
1:¥74.0715
10:¥66.9299
25:¥63.8563
100:¥55.4039
参考库存:8387
VS-GP400TD60S
Vishay Semiconductors
分立半导体
IGBT 晶体管 Ic 400A Vce(On)1.30V Half Brdge Trench PT
1:¥1,174.7254
参考库存:4499
STP10N95K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:9141
PBHV9040TVL
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500 V, 0.25 A PNP high-voltage low VCEsat (BISS) transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
10,000:¥1.02943
20,000:查看
参考库存:54393

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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