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分立半导体
BSZ105N04NS G参考图片

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BSZ105N04NS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:59,013(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.7686
4.7686
10
¥4.0002
40.002
100
¥2.4408
244.08
1,000
¥1.8871
1887.1
5,000
¥1.6046
8023
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
10.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
7 ns
零件号别名
BSZ105N04NSGATMA1 BSZ15N4NSGXT SP000388301
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,BSZ105N04NS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 57.2A D2PAK-2
1:¥27.9675
10:¥23.8204
100:¥20.5886
250:¥19.5151
1,000:¥14.7578
2,000:查看
参考库存:6256
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 40V 312A 900MO
1:¥32.657
10:¥27.7415
100:¥24.0464
250:¥22.826
5,000:¥15.8313
参考库存:39185
分立半导体
稳压二极管 1W Zener Diode 1.2Vf 45.2Vz 6.0mA
2,500:¥0.81473
5,000:¥0.7684
10,000:¥0.71416
25,000:¥0.66105
参考库存:39190
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.791
1,000:¥0.26894
10,000:¥0.17628
20,000:查看
参考库存:39195
分立半导体
SCR模块 1400 Volt 60 Amp 890 Amp IFSM
1:¥330.9544
5:¥322.1178
10:¥309.6652
25:¥286.3081
参考库存:39200
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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