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分立半导体
CSD25213W10参考图片

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CSD25213W10

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET
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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.6103
26.103
100
¥1.4238
142.38
1,000
¥1.06785
1067.85
3,000
¥0.92208
2766.24
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DSBGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
67 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
850 mV
Vgs - 栅极-源极电压
6 V
Qg-栅极电荷
2.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.62 mm
长度
1 mm
系列
CSD25213W10
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
970 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
520 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
1 us
典型接通延迟时间
510 ns
单位重量
1.100 mg
商品其它信息
优势价格,CSD25213W10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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1:¥2.7685
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8,000:¥0.40002
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10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
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SCR AMMORA SCR
1:¥3.0736
10:¥2.0905
100:¥0.99101
1,000:¥0.66896
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1:¥4.6104
10:¥2.6555
100:¥1.5481
500:¥1.2656
5,000:¥0.79891
10,000:查看
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.1471
10:¥3.4352
100:¥2.0905
1,000:¥1.6159
参考库存:20355
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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