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分立半导体
STGD19N40LZ参考图片

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STGD19N40LZ

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
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数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2999
4649.95
2,500
¥7.1303
17825.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
390 V
集电极—射极饱和电压
1.35 V
栅极/发射极最大电压
16 V
Pd-功率耗散
125 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD19N40LZ
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
625 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格，STGD19N40LZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1AHE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 1A 50V 40A@8.3ms Single Die Auto
15,000:¥0.46895
22,500:¥0.43844
参考库存:47375
1N5360E3/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,000:¥14.8256
2,000:¥14.1363
5,000:¥12.9837
参考库存:47380
1N5280BE3/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥26.3516
271:¥26.3516
500:¥23.6622
1,000:¥19.8993
2,500:¥18.984
参考库存:47385
SMBJ5941CE3/TR13
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
3,000:¥7.3337
6,000:¥7.0738
9,000:¥6.5314
参考库存:47390
AZ23B30-G3-08
Vishay
分立半导体
稳压二极管 30 Volt 0.3W 2% CA
15,000:¥0.45313
参考库存:47395

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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