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分立半导体
TK16G60W,RVQ参考图片

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TK16G60W,RVQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET DTMOSIV 600V 190mOhm 15.8A 130W 1350pF
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库存:7,251(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥42.8722
42.8722
10
¥34.4198
344.198
100
¥31.4253
3142.53
250
¥28.3517
7087.925
1,000
¥21.4361
21436.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
15.8 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
38 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
10.4 mm
长度
10 mm
系列
TK16G60W
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
25 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
50 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,TK16G60W,RVQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 1.5W,16V 5%,SMA ZENER
1:¥4.4522
10:¥2.5764
100:¥1.5029
500:¥1.2204
参考库存:23937
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥4.4522
10:¥3.6725
100:¥2.3617
1,000:¥1.8984
2,500:¥1.8984
参考库存:23942
分立半导体
稳压二极管 91 Volt 600W 6%
1:¥4.8364
10:¥3.9211
100:¥2.9832
500:¥2.4634
5,000:¥1.6724
10,000:查看
参考库存:126022
分立半导体
整流器 300 Volt 10 Amp 35ns Dual 60 Amp IFSM
1:¥11.30
10:¥9.379
100:¥7.1416
500:¥6.1359
1,000:¥5.3901
参考库存:23949
分立半导体
整流器 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
1:¥4.068
10:¥2.8024
100:¥1.8984
500:¥1.5255
1,500:¥1.04525
4,500:查看
参考库存:23954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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