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分立半导体
CSD16407Q5参考图片

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CSD16407Q5

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
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库存:15,234(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.8368
12.8368
10
¥10.9158
109.158
100
¥8.6784
867.84
500
¥7.6275
3813.75
2,500
¥5.8873
14718.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
13.3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
3.1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16407Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
111 S
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
11.9 ns
单位重量
117.400 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16407Q5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 3.9V 1W ZENER 5%
1:¥2.0792
10:¥1.3899
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
参考库存:74165
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分立半导体模块 Power Module - Coolmos
1:¥277.6975
5:¥268.3298
10:¥259.6401
25:¥240.125
参考库存:1412
分立半导体
稳压二极管 Dual 250mW
1:¥3.7629
10:¥3.164
100:¥1.9888
1,000:¥1.4916
3,000:¥1.2769
参考库存:12754
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥4.5313
10:¥3.4917
100:¥2.599
500:¥2.1357
1,500:¥1.5029
4,500:查看
参考库存:31221
分立半导体
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:11173
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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