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分立半导体
R6011ENJTL参考图片

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R6011ENJTL

  • ROHM Semiconductor
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  • MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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数量单价合计
1
¥24.0464
24.0464
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.7523
1775.23
250
¥16.8257
4206.425
1,000
¥12.7577
12757.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
340 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
32 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
124 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Super Junction-MOS EN
晶体管类型
1 N-Channel
商标
ROHM Semiconductor
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
25 ns
零件号别名
R6011ENJ
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格,R6011ENJTL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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50,000:¥0.37629
100,000:¥0.35369
参考库存:26226
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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