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分立半导体
STD13NM60ND参考图片

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STD13NM60ND

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A MDmesh II Plus
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数量单价合计
1
¥26.2838
26.2838
10
¥22.3627
223.627
100
¥19.3682
1936.82
250
¥18.3625
4590.625
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
24.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
109 W
配置
Single
封装
Tube
系列
STD13NM60ND
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.6 ns
典型接通延迟时间
46.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STD13NM60ND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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桥式整流器
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G18H500-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
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36:¥885.0386
54:¥865.4444
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参考库存:50728
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3,000:¥1.6272
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分立半导体
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15,000:¥0.62263
22,500:¥0.56048
45,000:¥0.49946
97,500:¥0.41471
参考库存:50738
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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