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分立半导体
STB120N4LF6参考图片

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STB120N4LF6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
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数量单价合计
1
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21.357
10
¥18.1365
181.365
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.9047
3726.175
1,000
¥11.30
11300
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB120N4LF6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB120N4LF6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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达林顿晶体管 . .
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50,000:¥1.00683
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6,000:¥1.921
9,000:¥1.8532
24,000:¥1.7854
45,000:¥1.7515
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12,500:¥2.7572
25,000:¥2.6781
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1,035:¥3.3448
2,500:¥2.9606
10,000:¥2.8589
25,000:¥2.7685
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12:¥919.4697
36:¥900.1015
60:¥887.3438
参考库存:47992
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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