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分立半导体

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参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	16 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	700 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
Pd-功率耗散	8.9 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Gel Pack
应用	Defense and Aerospace, Broadband Wireless
配置	Single
工作频率	DC to 25 GHz
系列	TGF
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
NF—噪声系数	1.3 dB
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	50
子类别	Transistors
零件号别名	1113818

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BZX84W-B56X	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 BZX84W-B56 SC-70	1:¥1.6159 10:¥1.07576 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736	参考库存:49557
TZMC13-M-18	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 ZENER DIODE SOD80 MINIMELF-e2-M	1:¥1.7628 10:¥1.4916 100:¥0.63054 500:¥0.52206	参考库存:49562
BC858W,135	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11	1:¥0.92208 10:¥0.89157 100:¥0.31527 1,000:¥0.2147 10,000:¥0.13786 20,000:查看	参考库存:104565
NX7002AK2R	Nexperia	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET	3,000:¥0.33787 9,000:¥0.29154 24,000:¥0.27685 45,000:¥0.25312 99,000:¥0.22261	参考库存:49569
RN1116MFV,L3F	Toshiba	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor NPN .1A 50V 4.7kohm	1:¥1.4577 10:¥1.1865 100:¥0.42262 1,000:¥0.29154 8,000:¥0.18419 24,000:查看	参考库存:49574