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分立半导体
STH260N6F6-6参考图片

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STH260N6F6-6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 60 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-6 package
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数量单价合计
1
¥33.7305
33.7305
10
¥28.6568
286.568
100
¥24.8148
2481.48
250
¥23.5944
5898.6
1,000
¥17.8314
17831.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
2.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
183 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STH260N6F6-6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
62.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
165 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
144.4 ns
典型接通延迟时间
31.4 ns
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格,STH260N6F6-6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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