STP28NM50N详细参数_参考价格_STP28NM50N PDF资料_STMicroelectronics

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Id-连续漏极电流	21 A
Rds On-漏源导通电阻	158 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	4 V
Vgs - 栅极-源极电压	25 V
Qg-栅极电荷	50 nC
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	90 W
配置	Single
商标名	MDmesh
封装	Tube
系列	STP28NM50N
晶体管类型	1 N-Channel
类型	N-Channel MDmesh II Power MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	1.5 S
下降时间	52 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	62 ns
典型接通延迟时间	13.6 ns
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
NVATS4A103PZT4G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET Power MOSFET P-Channel -30 V	1:¥9.9892 10:¥8.5315 100:¥6.5427 500:¥5.7856 3,000:¥4.0454 9,000:查看	参考库存:28041
SMZG3792B-E3/5B	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 13 Volt 1.5W 5%	1:¥4.068 10:¥3.0623 100:¥2.2713 500:¥1.8645 1,000:¥1.4464 3,200:¥1.4125	参考库存:28046
NSF8BT-E3/45	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 100 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM	1:¥7.91 10:¥6.5201 100:¥5.0059 500:¥4.3053 1,000:¥3.7742	参考库存:28051
BZT03C160-TAP	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 160 Volt 600W 6%	5,000:¥1.5368 25,000:¥1.5368	参考库存:28056
DMP1012UCB9-7	Diodes Incorporated	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET	3,000:¥2.4408	参考库存:28061