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分立半导体
STGW60H65DF参考图片

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STGW60H65DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
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库存:9,960(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.8509
68.8509
10
¥62.2404
622.404
25
¥59.325
1483.125
100
¥51.5619
5156.19
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
360 W
系列
STGW60H65DF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H65DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 30V 1A 5PIN
1:¥4.2262
10:¥3.4917
100:¥2.1357
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分立半导体
稳压二极管 MELF 5.6V 1W Zener
1:¥2.9945
10:¥2.147
100:¥1.2317
1,000:¥0.89948
1,500:¥0.77631
9,000:¥0.72998
参考库存:32669
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.2997
10:¥4.3957
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
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1:¥83.3714
10:¥75.3032
25:¥71.8454
100:¥62.3986
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分立半导体
SCR 25 Amp 800 Volt
1:¥20.3626
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:5685
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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