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分立半导体

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STGB40V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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数量单价合计
1
¥31.5044
31.5044
10
¥26.7358
267.358
100
¥23.2102
2321.02
250
¥21.9785
5494.625
1,000
¥16.6788
16678.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
283 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB40V60F
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGB40V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANS1N4130CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
50:¥1,172.9626
参考库存:51905
RMP4N70T2
Rectron
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MOSFET TO-220 MOSFET
3,000:¥2.1809
4,000:¥1.9888
10,000:¥1.808
24,000:¥1.7854
参考库存:51910
STTH30R04W
STMicroelectronics
分立半导体
整流器 Recovery Diode Ultra Fast
1:¥23.8995
10:¥20.2835
100:¥17.5941
250:¥16.6788
500:¥14.9838
参考库存:7273
JANS1N7052UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳流二极管
50:¥1,175.1096
100:¥1,175.1096
参考库存:51917
STGW25H120DF2
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:7280

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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