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分立半导体

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STGB10H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 10 A high speed
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库存:11,447(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥17.5941
17.5941
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.9893
1198.93
500
¥10.4525
5226.25
1,000
¥8.6784
8678.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
20 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB10H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,STGB10H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 30V
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.07576
参考库存:34351
分立半导体
稳压二极管 60 Volt 0.5W 5%
1:¥2.0792
10:¥1.4238
100:¥0.69947
500:¥0.5989
3,000:¥0.35369
6,000:查看
参考库存:70763
分立半导体
整流器 1.0 Amp 200 Volt Glass Passivated
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.04525
500:¥0.83733
5,500:¥0.48364
11,000:查看
参考库存:66145
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General-purpose bipolar transistors
1:¥3.4578
10:¥2.2374
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.56048
参考库存:19357
分立半导体
稳压二极管 6.2 Volt 0.225W 5%
1:¥1.921
10:¥1.2882
100:¥0.63054
500:¥0.53788
3,000:¥0.32318
6,000:查看
参考库存:77749
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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