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分立半导体
STGW20H60DF参考图片

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STGW20H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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库存：8,945(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.5096
22.5096
10
¥19.1309
191.309
100
¥16.5997
1659.97
250
¥15.7522
3938.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW20H60DF
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW20H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX2N3019S/TR
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥86.219
250:¥78.6819
500:¥73.5404
1,000:¥67.461
参考库存:51157
JANTXV1N5537B-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥85.5184
169:¥85.5184
200:¥77.9926
500:¥72.998
1,000:¥66.9299
参考库存:51162
1N4684UR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥39.7308
180:¥39.7308
200:¥36.499
500:¥33.2672
1,000:¥28.9732
参考库存:51167
1N6661/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
100:¥56.3192
127:¥56.3192
200:¥51.7879
500:¥47.1775
1,000:¥41.1094
参考库存:51172
1N6858-1/TR
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器
100:¥62.6246
114:¥62.6246
200:¥57.5509
500:¥52.4094
1,000:¥45.7198
参考库存:51177

  • 海量现货

    50万现货SKU

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