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分立半导体
STAC4932B参考图片

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STAC4932B

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR 1000w/m 26dB N-Ch 123 MHz VHF/UHF
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数量单价合计
1
¥919.0064
919.0064
5
¥902.1016
4510.508
10
¥861.5346
8615.346
25
¥832.7874
20819.685
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 mA
Vds-漏源极击穿电压
200 V
增益
26 dB
输出功率
1.2 kW
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC244B
封装
Tray
配置
Dual Common Source
工作频率
250 MHz
系列
STAC4932B
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
6 S
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
80
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
2.100 g
商品其它信息
优势价格，STAC4932B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N3015B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
100:¥201.5468
250:¥184.9584
500:¥176.0427
参考库存:32542
1N5932D
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥76.84
10:¥69.2351
25:¥63.0879
100:¥56.9407
参考库存:32547
JAN2N720A
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥90.287
10:¥81.2244
25:¥73.9924
100:¥66.7717
参考库存:32552
1N5188US/TR
Microsemi
分立半导体
整流器
1:¥84.6031
10:¥76.84
25:¥71.1561
50:¥67.3141
100:¥65.3931
参考库存:32557
QK016NH4TP
Littelfuse
分立半导体
双向可控硅 1000V 16A 35-35-35mA
500:¥16.4415
参考库存:32562

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    50万现货SKU

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