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分立半导体
STGW80V60F参考图片

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STGW80V60F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed
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库存:8,245(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥84.9873
84.9873
10
¥76.7609
767.609
25
¥73.224
1830.6
100
¥63.5512
6355.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
469 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW80V60F
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STGW80V60F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V, 195A, 1.25 mOhm 180 nC Qg, Logic Lvl
1:¥21.8203
10:¥18.5998
100:¥16.0573
250:¥15.2889
参考库存:13518
分立半导体
桥式整流器 3 Phase Bridge 300A 1800V 3600 Vrms
1:¥620.3248
5:¥608.1095
10:¥582.6732
25:¥563.8474
参考库存:4455
分立半导体
MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
1:¥32.1937
10:¥27.3573
100:¥23.7413
250:¥22.5096
参考库存:4562
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1200V 5A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
1:¥47.8668
10:¥43.2564
25:¥41.2676
100:¥35.8097
1,000:¥27.12
参考库存:8849
分立半导体
整流器 Hypfst Rect 2A 200V
1:¥4.1471
10:¥2.8476
100:¥1.9323
500:¥1.5481
10,000:¥0.9379
参考库存:67891
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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