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分立半导体
STF4N62K3参考图片

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STF4N62K3

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3
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13.7521
10
¥11.6842
116.842
100
¥9.379
937.9
500
¥8.1473
4073.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
620 V
Id-连续漏极电流
3.8 A
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
系列
STF4N62K3
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
29 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STF4N62K3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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