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分立半导体
STW62N65M5参考图片

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STW62N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
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1
¥103.508
103.508
10
¥95.2025
952.025
25
¥91.2136
2280.34
50
¥86.2868
4314.34
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
710 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
41 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
142 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
330 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW62N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
101 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW62N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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25,000:¥1.5368
参考库存:54057
  • 海量现货

    50万现货SKU

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