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分立半导体
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STGW15H120F2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
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数量单价合计
600
¥29.7416
17844.96
1,200
¥25.8996
31079.52
3,000
¥24.973
74919
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
259 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGW15H120F2
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
15 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STGW15H120F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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