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分立半导体
STD120N4LF6参考图片

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STD120N4LF6

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 3.1 mOhm 80A STripFET VI Deep
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数量单价合计
1
¥23.278
23.278
10
¥18.8258
188.258
100
¥16.9048
1690.48
250
¥14.9838
3745.95
2,500
¥9.831
24577.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
3.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
资格
AEC-Q101
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STD120N4LF6
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STD120N4LF6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
1N969B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥23.6622
10:¥18.984
100:¥17.289
250:¥15.594
参考库存:7358
QPD1013SR
Qorvo
分立半导体
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
1:¥1,352.384
25:¥1,169.663
100:¥1,011.6777
参考库存:5630
2N3879
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥198.4054
5:¥189.4897
10:¥183.5685
25:¥168.6638
参考库存:5377
SE60PWDCHM3/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 200V 6A SlimDPAK Planar STD.
1:¥5.537
10:¥4.4409
100:¥3.3674
500:¥2.7798
4,500:¥1.8871
9,000:查看
参考库存:27739
2N3637
Microsemi
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
50:¥105.8132
参考库存:5401

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