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分立半导体
STP45N10F7参考图片

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STP45N10F7

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 100 V 0 013 Ohm typ 45 A
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数量单价合计
1
¥17.4472
17.4472
10
¥14.8256
148.256
100
¥11.8311
1183.11
500
¥10.3734
5186.7
1,000
¥8.6106
8610.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
45 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
商标名
STripFET
封装
Tube
系列
STP45N10F7
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP45N10F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S1MFS MWG
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28,000:¥0.49946
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45,000:¥0.5763
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7,500:¥0.79891
9,000:¥0.75258
参考库存:63024

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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